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GE Mark VI IS200DAMDG1A 게이트 드라이버 보드 100mm 네트 너비
| 원래 장소 | 미국 |
|---|---|
| 브랜드 이름 | GE |
| 인증 | COO |
| 모델 번호 | GE 마크 VI IS200DAMDG1A 게이트 드라이버 보드 |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | $2800 |
| 배달 시간 | 5~7일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 999 |
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x제품 상세 정보
| 이름 | GE 마크 VI IS200DAMDG1A 게이트 드라이버 보드 | 제품 id | IS200DAMDG1A |
|---|---|---|---|
| 시리즈 | VI를 표시하세요 | 순생산물 중량 | 2KG |
| 보증 | 1년 | 순생산물 깊이 / 길이 | 330 밀리미터 |
| 순생산물 폭 | 100 밀리미터 | 순생산물 높이 | 200MM |
| 강조하다 | IS200DAMDG1A 게이트 드라이버 보드,게이트 드라이버 보드 |
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제품 설명
제품 설명:
IS200DAMDG1A는 General Electric (GE)에서 설계 및 제조한 드라이브 보드이며, Drive Control Innovation Series에 속하며 GE Speedtronic 드라이브 터빈 제어 시스템에 사용됩니다. 핵심 기능은 전력 반도체 장치의 스위칭을 제어하는 것으로, 필요한 전압 및 전류 신호를 제공하여 효율적이고 안정적인 켜기 및 끄기 작동을 달성하는 동시에 저전압 제어 회로를 고전압 전력 회로에서 분리하여 민감한 제어 전자 부품을 고전압 및 과도 간섭으로부터 보호합니다.
특징:
1. 전기적 절연: 저전압 제어 회로와 고전압 전력 회로 간에 전기적 절연이 실현되어 고전압 및 과도 신호가 제어 구성 요소를 손상시키는 것을 방지하고 시스템 안전성을 향상시킵니다.
2. 전압 및 전류 기능: 전력 반도체 장치를 구동하는 데 필요한 전압 및 전류 레벨을 제공하도록 설계되었으며, 고전압 신호를 처리하고 전력 장치의 빠른 스위칭을 보장하기에 충분한 전류를 출력할 수 있습니다.
3. 보호 메커니즘: 과전압 보호, 저전압 록아웃, 단락 보호, 과전류 보호 및 열 차단을 포함한 다양한 보호 기능을 통합하여 전력 장치와 자체를 손상으로부터 보호합니다.
4. 조정 가능한 매개변수: 특정 응용 요구 사항에 따라 게이트 전압 및 타이밍 매개변수의 조정을 지원하여 전력 장치의 스위칭 특성을 최적화하여 유연성을 향상시킵니다.5.
IC 보호: 정전기 방전 (ESD) 보호, 과도 전압 억제 및 전자기 간섭 (EMI) 필터링 등을 갖추어 외부 간섭에 저항하고 내부 회로의 안정성을 보장합니다.6.
통신 인터페이스: 일부 고급 모델에는 SPI 또는 I2C와 같은 통신 인터페이스가 장착되어 제어 시스템 또는 마이크로 컨트롤러와의 통신을 지원하여 원격 제어, 모니터링 및 복잡한 제어 아키텍처의 통합을 실현합니다.기술 매개변수:
제품 이름
| GE Mark VI IS200DAMDG1A 게이트 드라이버 보드 | 제품 ID |
| IS200DAMDG1A | 시리즈 |
| Mark VI | 제품 순 폭 |
| 100mm | 제품 순 높이 |
| 200mm | 제품 순 깊이/길이 |
| 330mm | 제품 순 중량 |
| 2kg | 보증 |
| 1년 | 응용 분야: |
GE 터빈 제어 시스템의 응용 사례 및 시나리오 중 일부는 다음과 같습니다.
발전
- 석유화학 공정
- 산업 공정
- 기다리지 말고 오늘 GE 터빈 제어 기기를 주문하여 터빈 시스템에 대한 고품질 제어의 이점을 경험하십시오.
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